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RFMD 發表針對無線基礎架構產品的設計導入
(重要新聞, 2007年7月24日)
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RF Micro Devices， Inc.日前發表砷化鎵(GaAs )擬態高速移動電子電晶體(pHEMT) 低雜訊放大器(LNA) RF386X 系列。RFMD 的新pHEMT LNA 具備700MHz 至3800MHz 的能力，並提供相較於競爭者產品最佳的低雜訊和高線性效能組合。新寬頻LNA 非常適合無線網路應用，包括蜂巢式、WLAN 和WiMAX 基礎設施等。
RFMD 基礎架構產品事業群副總裁Jeff Shealy 表示：「新RF386X 系列的LNA ，涵蓋多重八度音頻，並提供絕佳的雜訊效能及線性度，而造就了一個針對多重無線電應用，為客戶提供強化訊號品質的單一零組件。我們最具競爭力的寬頻解決方案，已經於全球多重成長市場中，獲得設計導入合作。」
RF386X 系列的LNA，專為CDMA 、PCS 、DCS 、UMTS 、WLAN 和WiMAX 應用之第一階低雜訊及線性驅動放大作用而設計。LNA 提供各種配置方式， 包括單階、雙階及雙通道，而各LNA 均為內部匹配，使網路設計者能以最小的外部偏壓達到最大彈性，而能簡化設計需求，並加速產品上市時程。每個RF386X LNA 並均採用低成本、業界標準的QFN 封裝。
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